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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N6077
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32664931N6077-Bild.Microsemi

1N6077

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6077
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6077.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.76V @ 18.8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 155°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1.3A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1.3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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2024/11/13
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Das Folgende sind "1N6077" -Einziper.
1N6075US

1N6075US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6073US

1N6073US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6080

1N6080

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6080

1N6080

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6073

1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6081

1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6077US

1N6077US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6076

1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6078

1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6078US

1N6078US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6072

1N6072

Beschreibung: TVS DIODE 175V 344V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6076US

1N6076US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6079US

1N6079US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6079

1N6079

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6075

1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6072A

1N6072A

Beschreibung: TVS DIODE 185VWM 328VC DO13

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6074

1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6079

1N6079

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6074US

1N6074US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6080US

1N6080US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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