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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N6081US
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6190401

1N6081US

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vorrätig
100+
$47.523
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6081US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6081US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 37.7A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    G-MELF (D-5C)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 155°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Zahlung
Das Folgende sind "1N6081US" -Einziper.
1N6097R

1N6097R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6096R

1N6096R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6096

1N6096

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6080

1N6080

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: SCHOTTKY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6078US

1N6078US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6079US

1N6079US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N6079

1N6079

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6081

1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6080

1N6080

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6095R

1N6095R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6080US

1N6080US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6096

1N6096

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6081

1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6079

1N6079

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6098

1N6098

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6097

1N6097

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N6078

1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6095

1N6095

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
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