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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > 1N6117
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1N6117

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6117
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6117.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    27.08V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    22.8V
  • Spannung - Durchschlag
    Axial
  • Art
    Zener
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    500W
  • Power - Peak Pulse
    11.4A
  • Polarisation
    B, Axial
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    1N6117
  • Beschreibung
    TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    43.68V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Zahlung
Das Folgende sind "1N6117" -Einziper.
1N6118

1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6116

1N6116

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.2V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6116

1N6116

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6116A

1N6116A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6116US

1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6117

1N6117

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.6V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6117AUS

1N6117AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6115US

1N6115US

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6117US

1N6117US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.6V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6115US

1N6115US

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.8V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6117US

1N6117US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6117AUS

1N6117AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6116AUS

1N6116AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6116AUS

1N6116AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6118

1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.9V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6116A

1N6116A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6117A

1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N6117A

1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6118A

1N6118A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6116US

1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.2V

Hersteller: Semtech
vorrätig
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