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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N6628US
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39016931N6628US-Bild.Microsemi

1N6628US

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$20.16
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N6628US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N6628US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    660V
  • Supplier Device-Gehäuse
    A-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 660V
  • Strom - Richt (Io)
    1.75A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

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1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6626

1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6633US

1N6633US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6627

1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6632

1N6632

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6628

1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6631US

1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6632US

1N6632US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6625US

1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6626US

1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6627US

1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6624

1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6630

1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6624US

1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6629

1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6625E3

1N6625E3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N6625

1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6629US

1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6631

1N6631

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N6633

1N6633

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
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