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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-zenerdioden-Einzel > 1N821A, SEL. 1% VBR

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3972136

1N821A, SEL. 1% VBR-Bild.

Microsemi

1N821A, SEL. 1% VBR

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Spezifikation

Artikelnummer

1N821A, SEL. 1% VBR
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1N821A, SEL. 1% VBR.pdf
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

6.2V
Toleranz

±1%
Supplier Device-Gehäuse

DO-35 (DO-204AH)
Serie

-
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

DO-204AH, DO-35, Axial
Andere Namen

1N821A, SEL. 1% VBR-ND
1N821A,SEL.1%VBR
Q8814842
Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

10 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

2µA @ 3V

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1N822

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N823AUR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N8033-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

1N8149

1N8149

Beschreibung: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N8034-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

1N823A

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N823

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821UR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821A

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N823AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N8165US

1N8165US

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.6V

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N8182

1N8182

Beschreibung: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N823-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821AUR

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N8035-GA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

1N823UR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821

Beschreibung: DIODE ZENER DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

1N821A (DO35)

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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