Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > 2N3637L
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4368890

2N3637L

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$13.392
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N3637L
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP 175V 1A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    2N3637L.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    175V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 50mA
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-5
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • Andere Namen
    1086-20891
    1086-20891-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    100 @ 50mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    10µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    1A

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "2N3637L" -Einziper.
2N3700

2N3700

Beschreibung: TRANS NPN 80V 1A TO-18

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
2N3635L

2N3635L

Beschreibung: TRANS PNP 140V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3636L

2N3636L

Beschreibung: TRANS PNP 175V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3700UB

2N3700UB

Beschreibung: TRANS NPN 80V 1A UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3634

2N3634

Beschreibung: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3635UB

2N3635UB

Beschreibung: TRANS PNP 140V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3637UB

2N3637UB

Beschreibung: TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3701

2N3701

Beschreibung: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N3646

2N3646

Beschreibung: TRANSISTOR NPN TO-106

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N3636

2N3636

Beschreibung: TRANS PNP 175V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3634L

2N3634L

Beschreibung: TRANS PNP 140V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3700

2N3700

Beschreibung: TRANS NPN 80V 1A TO18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3663

2N3663

Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N3637

2N3637

Beschreibung: NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3700

2N3700

Beschreibung: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N3635

2N3635

Beschreibung: TRANS PNP 140V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3690

2N3690

Beschreibung: TRANSISTOR NPN TO-106

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N3636UB

2N3636UB

Beschreibung: TRANS PNP 175V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3634UB

2N3634UB

Beschreibung: TRANS PNP 140V 1A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N3640

2N3640

Beschreibung: TRANSISTOR PNP TO-106

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.