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3973864

2N6764

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2N6764
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    2N6764.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 38A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    4W (Ta), 150W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-204AE
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    125nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    38A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "2N6764" -Einziper.
2N6758

2N6758

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6766T1

2N6766T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6768

2N6768

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6729

2N6729

Beschreibung: DIE TRANS

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6782

2N6782

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-205AF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6756

2N6756

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6725

2N6725

Beschreibung: NPN SILICON POWER DARLINGTON

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6766

2N6766

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6782U

2N6782U

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18LCC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6770

2N6770

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6764T1

2N6764T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6727

2N6727

Beschreibung: PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6770T1

2N6770T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6784

2N6784

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-205AF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6724

2N6724

Beschreibung: TRANS NPN DARL 40V 1 AMP TO-237

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6762

2N6762

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6719

2N6719

Beschreibung: NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6760

2N6760

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
2N6726

2N6726

Beschreibung: TRANS PNP MED PWR 30V 2A TO-237

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N6768T1

2N6768T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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