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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT15F60B

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4150

APT15F60B-Bild.

Microsemi

APT15F60B

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Spezifikation

Artikelnummer

APT15F60B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT15F60B.pdf
2.APT15F60B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

290W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2882pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16A (Tc)

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Das Folgende sind "APT15F60B" -Einziper.

APT15GP60BDQ1G

Beschreibung: IGBT 600V 56A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GP60KG

APT15GP60KG

Beschreibung: IGBT 600V 56A 250W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DS60BG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 13A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GP90BDQ1G

Beschreibung: IGBT 900V 43A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GN120KG

APT15GN120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 45A 195W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 45A 195W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15F50K

APT15F50K

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 15A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GP60BG

Beschreibung: IGBT 600V 56A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GF120JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GP90BG

Beschreibung: IGBT 900V 43A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ60KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15DQ100KG

APT15DQ100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15GP60BDLG

Beschreibung: IGBT 600V 56A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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