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APT24F50B-Bild.

Microsemi

APT24F50B

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Spezifikation

Artikelnummer

APT24F50B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT24F50B.pdf
2.APT24F50B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

335W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT24F50BMP
APT24F50BMP-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 24A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

24A (Tc)

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Das Folgende sind "APT24F50B" -Einziper.

APT24M80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT22F120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT23F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT24M80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GN120SG

Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT24F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT24M120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT23F60S

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Beschreibung: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GN120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GF120JCU2

Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT22F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT22F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT20SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 32A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT20SCD120S

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 68A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT21M100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT22F120B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT22F100J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT24M120L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

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