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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > APT30M60J

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APT30M60J-Bild.

Microsemi

APT30M60J

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20+

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Spezifikation

Artikelnummer

APT30M60J
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT30M60J.pdf
2.APT30M60J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)

355W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 31A (Tc) 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

31A (Tc)

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Das Folgende sind "APT30M60J" -Einziper.

APT30M70BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M40B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30N60KC6

APT30N60KC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M70SVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M85SVFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 40A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M19JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M19JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M85BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M70BVFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 48A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Beschreibung: IGBT 600V 54A 250W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M40JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M85BVFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 40A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30M40JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Beschreibung: IGBT 600V 64A 250W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT30S20BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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