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4811361APT50GT120JU2-Bild.Microsemi

APT50GT120JU2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT50GT120JU2
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 75A 347W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT50GT120JU2.pdf
    2.APT50GT120JU2.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    347W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    3.6nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 75A 347W Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    5mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    75A
  • Konfiguration
    Single

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APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 110A 446W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M50JLL

APT50M50JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 72A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GR120B2

APT50GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M65B2LLG

APT50M65B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT60BRG

APT50GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 110A 446W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M38JLL

APT50M38JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 93A 415W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 106A 694W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M65JLL

APT50M65JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120JU3

APT50GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GS60BRDLG

APT50GS60BRDLG

Beschreibung: IGBT 600V 93A 415W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50M65JFLL

APT50M65JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

Beschreibung: IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APT50GR120L

APT50GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APT50GR120JD30

APT50GR120JD30

Beschreibung: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Hersteller: Microsemi
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APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 93A 415W TO247

Hersteller: Microsemi
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