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834575APT60GA60JD60-Bild.Microsemi

APT60GA60JD60

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT60GA60JD60
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 112A 356W SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    356W
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    28 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    8.01nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    275µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    112A
  • Konfiguration
    Single

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Das Folgende sind "APT60GA60JD60" -Einziper.
APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Beschreibung: MOD DIODE 200V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DF60HJ

APT60DF60HJ

Beschreibung: POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Beschreibung: IGBT 600V 100A 500W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DQ100LCTG

APT60DQ100LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DQ120LCTG

APT60DQ120LCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DS10HJ

APT60DS10HJ

Beschreibung: MOD DIODE 100V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DS04HJ

APT60DS04HJ

Beschreibung: MOD DIODE 400V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60GT60JR

APT60GT60JR

Beschreibung: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DQ60BG

APT60DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT60DQ60BCTG

APT60DQ60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Hersteller: Microsemi
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RFQ
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