Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APTGT100DH170G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5457096

APTGT100DH170G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTGT100DH170G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1700V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 100A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP6
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    560W
  • Verpackung / Gehäuse
    SP6
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    9nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    350µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    150A
  • Konfiguration
    Asymmetrical Bridge

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APTGT100DH170G" -Einziper.
APTGT100DU60TG

APTGT100DU60TG

Beschreibung: POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100H120G

APTGT100H120G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA170D1G

APTGT100DA170D1G

Beschreibung: IGBT 1700V 200A 695W D1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100BB60T3G

APTGT100BB60T3G

Beschreibung: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100H170G

APTGT100H170G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DU170TG

APTGT100DU170TG

Beschreibung: IGBT DUAL SOURCE 1700V 150A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DH60TG

APTGT100DH60TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA120T1G

APTGT100DA120T1G

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100H60T3G

APTGT100H60T3G

Beschreibung: IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA120TG

APTGT100DA120TG

Beschreibung: IGBT 1200V 140A 480W SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DH60T3G

APTGT100DH60T3G

Beschreibung: MOD IGBT 600V 150A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA60TG

APTGT100DA60TG

Beschreibung: IGBT 600V 150A 340W SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA120D1G

APTGT100DA120D1G

Beschreibung: IGBT 1200V 150A 520W D1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DU120TG

APTGT100DU120TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DSK60T3G

APTGT100DSK60T3G

Beschreibung: IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DH120TG

APTGT100DH120TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA60T1G

APTGT100DA60T1G

Beschreibung: IGBT BOOST CHOP 600V 150A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DDA60T3G

APTGT100DDA60T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH BOOST CHOP SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100DA170TG

APTGT100DA170TG

Beschreibung: IGBT 1700V 150A 560W SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT100H60TG

APTGT100H60TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.