Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Module > APTGT50DH60TG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
169251

APTGT50DH60TG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTGT50DH60TG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APTGT50DH60TG.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP4
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    176W
  • Verpackung / Gehäuse
    SP4
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    3.15nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    250µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    80A
  • Konfiguration
    Asymmetrical Bridge

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "APTGT50DH60TG" -Einziper.
APTGT50DA170D1G

APTGT50DA170D1G

Beschreibung: IGBT 1700V 70A 310W D1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DDA120T3G

APTGT50DDA120T3G

Beschreibung: POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DU170TG

APTGT50DU170TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DH170TG

APTGT50DH170TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DA170TG

APTGT50DA170TG

Beschreibung: IGBT 1700V 75A 312W SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DA170T1G

APTGT50DA170T1G

Beschreibung: IGBT 1700V 75A 312W SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DH120T3G

APTGT50DH120T3G

Beschreibung: MOD IGBT 1200V 75A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H120T3G

APTGT50H120T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DSK60T3G

APTGT50DSK60T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DH120TG

APTGT50DH120TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DDA60T3G

APTGT50DDA60T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H60T2G

APTGT50H60T2G

Beschreibung: MOD IGBT 600V 80A SP2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DSK120T3G

APTGT50DSK120T3G

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H170TG

APTGT50H170TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DH60T1G

APTGT50DH60T1G

Beschreibung: MOD IGBT 600V 80A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DA120TG

APTGT50DA120TG

Beschreibung: IGBT 1200V 75A 277W SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50DU120TG

APTGT50DU120TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H60RT3G

APTGT50H60RT3G

Beschreibung: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTGT50H120TG

APTGT50H120TG

Beschreibung: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.