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APTM10AM05FTG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM10AM05FTG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM10AM05FTG.pdf
    2.APTM10AM05FTG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 5mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 125A, 10V
  • Leistung - max
    780W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP4
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    20000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    700nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    278A

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Zahlung
Das Folgende sind "APTM10AM05FTG" -Einziper.
APTM10DSKM19T3G

APTM10DSKM19T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM65SCAVG

APTM100UM65SCAVG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DDAM19T3G

APTM10DDAM19T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DHM05G

APTM10DHM05G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10AM02FG

APTM10AM02FG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DDAM09T3G

APTM10DDAM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DAM05TG

APTM10DAM05TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DAM02G

APTM10DAM02G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DUM02G

APTM10DUM02G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

Hersteller: Microsemi
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