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APTM10SKM02G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APTM10SKM02G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APTM10SKM02G.pdf
    2.APTM10SKM02G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SP6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 mOhm @ 200A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1250W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SP6
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    40000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1360nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    495A (Tc)

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Das Folgende sind "APTM10SKM02G" -Einziper.
APTM120A20DG

APTM120A20DG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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APTM10TAM19FPG

APTM10TAM19FPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10SKM05TG

APTM10SKM05TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 278A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10HM19FT3G

APTM10HM19FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DHM09TG

APTM10DHM09TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10HM09FT3G

APTM10HM09FT3G

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DSKM19T3G

APTM10DSKM19T3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10DUM05TG

APTM10DUM05TG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10HM05FG

APTM10HM05FG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10TAM09FPG

APTM10TAM09FPG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10HM09FTG

APTM10HM09FTG

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Hersteller: Microsemi
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RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Hersteller: Microsemi
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APTM10TDUM19PG

APTM10TDUM19PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Hersteller: Microsemi
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APTM10DUM02G

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6

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APTM120A15FG

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Hersteller: Microsemi
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