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JAN1N1190

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N1190
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N1190.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 110A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-5
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    1086-16244
    1086-16244-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    35A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JAN1N1190" -Einziper.
JAN1N1615R

JAN1N1615R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1184

JAN1N1184

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1202AR

JAN1N1202AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N2806RB

JAN1N2806RB

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1186R

JAN1N1186R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N2806B

JAN1N2806B

Beschreibung: DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N2807B

JAN1N2807B

Beschreibung: DIODE ZENER 9.1V 50W TO204AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1614R

JAN1N1614R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1190R

JAN1N1190R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1186

JAN1N1186

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1204A

JAN1N1204A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1188

JAN1N1188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1206A

JAN1N1206A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1202A

JAN1N1202A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1188R

JAN1N1188R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1206AR

JAN1N1206AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1616R

JAN1N1616R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1614

JAN1N1614

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N1615

JAN1N1615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N1204AR

JAN1N1204AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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