Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N3766
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1843424

JAN1N3766

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$62.016
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N3766
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N3766.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 110A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-5
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Andere Namen
    1086-16812
    1086-16812-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    35A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N3766" -Einziper.
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Beschreibung: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Beschreibung: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.