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2229225JAN1N5314UR-1-Bild.Microsemi

JAN1N5314UR-1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N5314UR-1
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE CURRENT REG 100V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N5314UR-1.pdf
  • Spannung - Eingang
    100V (Max)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-213AB (MELF, LL41)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/463
  • Abtastmethode
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Andere Namen
    1086-18925
    1086-18925-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    30 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Funktion
    Current Regulator
  • detaillierte Beschreibung
    Current Regulator Regulator 4.7mA DO-213AB (MELF, LL41)
  • Strom - Ausgabe
    4.7mA
  • Genauigkeit
    ±10%

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JAN1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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JAN1N5415

JAN1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5310UR-1

JAN1N5310UR-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5311UR-1

JAN1N5311UR-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5310-1

JAN1N5310-1

Beschreibung: RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5417US

JAN1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5309UR-1

JAN1N5309UR-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5311-1

JAN1N5311-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N5312-1

JAN1N5312-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

Hersteller: Microsemi
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JAN1N5313-1

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Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V

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