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JAN1N6115AUS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6115AUS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 18.2V 33.3V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6115AUS.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    18.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    33.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    22.8V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2179
    1086-2179-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    15A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6117A

JAN1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113

JAN1N6113

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116A

JAN1N6116A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113A

JAN1N6113A

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113AUS

JAN1N6113AUS

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6113US

JAN1N6113US

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6114A

JAN1N6114A

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6114AUS

JAN1N6114AUS

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116

JAN1N6116

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.27V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6114

JAN1N6114

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116US

JAN1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6115

JAN1N6115

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116AUS

JAN1N6116AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117

JAN1N6117

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6115US

JAN1N6115US

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117AUS

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Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6115A

JAN1N6115A

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 33.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6118

JAN1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Hersteller: Microsemi
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JAN1N6114US

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Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V B SQ-MELF

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