Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6119
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4066368

JAN1N6119

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$15.836
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6119
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 27.4V 52.4V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6119.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    27.4V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    52.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    32.49V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-19465
    1086-19465-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    9.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6119" -Einziper.
JAN1N6120

JAN1N6120

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 56.28V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6120US

JAN1N6120US

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 56.28V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117US

JAN1N6117US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117AUS

JAN1N6117AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116US

JAN1N6116US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 39.27V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6119A

JAN1N6119A

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 49.9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6118US

JAN1N6118US

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.99V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121

JAN1N6121

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 62.06V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6119AUS

JAN1N6119AUS

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 49.9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6118A

JAN1N6118A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6118

JAN1N6118

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 47.99V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6118AUS

JAN1N6118AUS

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6120A

JAN1N6120A

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 53.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6120AUS

JAN1N6120AUS

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 53.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6119US

JAN1N6119US

Beschreibung: TVS DIODE 27.4V 52.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117

JAN1N6117

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 43.68V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6117A

JAN1N6117A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6116AUS

JAN1N6116AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.