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JAN1N6123US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6123US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 38.8V 73.61V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6123US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    38.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    73.61V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    46.08V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19487
    1086-19487-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    6.75A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6125A

JAN1N6125A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6125AUS

JAN1N6125AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6124A

JAN1N6124A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6122

JAN1N6122

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 67.83V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6124

JAN1N6124

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 80.85V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6122AUS

JAN1N6122AUS

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6123AUS

JAN1N6123AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6124AUS

JAN1N6124AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6124US

JAN1N6124US

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 80.85V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6123A

JAN1N6123A

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6125

JAN1N6125

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 89.57V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6126A

JAN1N6126A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6123

JAN1N6123

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 73.61V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6122US

JAN1N6122US

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 67.83V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6122A

JAN1N6122A

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6126

JAN1N6126

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121A

JAN1N6121A

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121US

JAN1N6121US

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 62.06V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6121AUS

JAN1N6121AUS

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6125US

JAN1N6125US

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 89.57V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
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