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JAN1N6129US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6129US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6129US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    69.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    131.36V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    82.18V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19517
    1086-19517-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.8A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6129A

JAN1N6129A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6128A

JAN1N6128A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6130

JAN1N6130

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6129

JAN1N6129

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6132A

JAN1N6132A

Beschreibung: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6128AUS

JAN1N6128AUS

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6131US

JAN1N6131US

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6130A

JAN1N6130A

Beschreibung: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6128US

JAN1N6128US

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM BPKG SMD

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6131

JAN1N6131

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6130US

JAN1N6130US

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6128

JAN1N6128

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6132

JAN1N6132

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6127US

JAN1N6127US

Beschreibung: TVS DIODE 56V 108.26V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6127AUS

JAN1N6127AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6127A

JAN1N6127A

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

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