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JAN1N6137US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6137US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 152V 286.65V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6137US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    152V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    286.65V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    180.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19551
    1086-19551-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    1.71A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JAN1N6136AUS

JAN1N6136AUS

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6139A

JAN1N6139A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138

JAN1N6138

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11.03V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137

JAN1N6137

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6137A

JAN1N6137A

Beschreibung: TVS DIODE 152VWM 273VC BPKG AXL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6139AUS

JAN1N6139AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135A

JAN1N6135A

Beschreibung: TVS DIODE 121.6VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6136

JAN1N6136

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135AUS

JAN1N6135AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138US

JAN1N6138US

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 11.03V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136A

JAN1N6136A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8VWM BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6137AUS

JAN1N6137AUS

Beschreibung: TVS DIODE 152V 273V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6140

JAN1N6140

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6136US

JAN1N6136US

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138AUS

JAN1N6138AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 10.5V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6139US

JAN1N6139US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6139

JAN1N6139

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6135US

JAN1N6135US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6138A

JAN1N6138A

Beschreibung: TVS DIODE 5.2V 10.5V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6140A

JAN1N6140A

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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