Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6144US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5646676

JAN1N6144US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$21.725
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6144US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6144US.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    10.83V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    9.1V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    84.36A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19605
    1086-19605-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6144US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9.1VWM 17.75VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    17.75V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6144US" -Einziper.
JAN1N6143US

JAN1N6143US

Beschreibung: TVS DIODE 8.4VWM 16.38VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6146

JAN1N6146

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6142US

JAN1N6142US

Beschreibung: TVS DIODE 7.6VWM 15.23VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6144AUS

JAN1N6144AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.1VWM 16.9VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6142A

JAN1N6142A

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6147

JAN1N6147

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6142AUS

JAN1N6142AUS

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6145

JAN1N6145

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6146US

JAN1N6146US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4VWM 22.05VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6147A

JAN1N6147A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6144A

JAN1N6144A

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6146AUS

JAN1N6146AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4VWM 21VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6144

JAN1N6144

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 17.75V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6146A

JAN1N6146A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6145US

JAN1N6145US

Beschreibung: TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6145A

JAN1N6145A

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6143

JAN1N6143

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 16.38V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6143A

JAN1N6143A

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6143AUS

JAN1N6143AUS

Beschreibung: TVS DIODE 8.4VWM 15.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6145AUS

JAN1N6145AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9VWM 18.2VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.