Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6151US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
853931

JAN1N6151US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$21.725
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6151US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 18.2VWM 34.97VC CPKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6151US.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    21.66V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    18.2V
  • Spannung - Durchschlag
    C, SQ-MELF
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    42.75A
  • Polarisation
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19655
    1086-19655-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6151US
  • Beschreibung
    TVS DIODE 18.2VWM 34.97VC CPKG
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    34.97V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6151US" -Einziper.
JAN1N6152AUS

JAN1N6152AUS

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 37.4VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6153AUS

JAN1N6153AUS

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 41.6VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6150A

JAN1N6150A

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6149A

JAN1N6149A

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6151

JAN1N6151

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 34.97V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6153US

JAN1N6153US

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 43.68VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6153A

JAN1N6153A

Beschreibung: TVS DIODE 22.8V 41.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6153

JAN1N6153

Beschreibung: TVS DIODE 22.8VWM 43.68VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6149AUS

JAN1N6149AUS

Beschreibung: TVS DIODE 15.2VWM 27.7VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6152

JAN1N6152

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6152A

JAN1N6152A

Beschreibung: TVS DIODE 20.6V 37.4V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6154A

JAN1N6154A

Beschreibung: TVS DIODE 25.1V 45.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6151AUS

JAN1N6151AUS

Beschreibung: TVS DIODE 18.2VWM 33.3VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6149US

JAN1N6149US

Beschreibung: TVS DIODE 15.2VWM 29.09VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6151A

JAN1N6151A

Beschreibung: TVS DIODE 18.2V 33.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6150US

JAN1N6150US

Beschreibung: TVS DIODE 16.7VWM 32.03VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6152US

JAN1N6152US

Beschreibung: TVS DIODE 20.6VWM 39.27VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6154

JAN1N6154

Beschreibung: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6150

JAN1N6150

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6150AUS

JAN1N6150AUS

Beschreibung: TVS DIODE 16.7VWM 30.5VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.