Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6165AUS
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5416798

JAN1N6165AUS

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$23.515
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6165AUS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6165AUS.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    69.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    125.1V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    86.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19751
    1086-19751-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    12A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JAN1N6165AUS" -Einziper.
JAN1N6166

JAN1N6166

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6167A

JAN1N6167A

Beschreibung: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6166AUS

JAN1N6166AUS

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6168

JAN1N6168

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6163A

JAN1N6163A

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6164US

JAN1N6164US

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6163

JAN1N6163

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6163US

JAN1N6163US

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 108.26VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6167US

JAN1N6167US

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6166US

JAN1N6166US

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6166A

JAN1N6166A

Beschreibung: TVS DIODE 76VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6165US

JAN1N6165US

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6165

JAN1N6165

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6164

JAN1N6164

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6167

JAN1N6167

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6164AUS

JAN1N6164AUS

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6165A

JAN1N6165A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6163AUS

JAN1N6163AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56VWM 103.1VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6164A

JAN1N6164A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.