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JAN1N6169US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6169US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6169US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    98.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    187.74V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    117.33V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, C
  • Andere Namen
    1086-19780
    1086-19780-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    7.98A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6167A

JAN1N6167A

Beschreibung: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6168

JAN1N6168

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6172A

JAN1N6172A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6172

JAN1N6172

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6169

JAN1N6169

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6171US

JAN1N6171US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6167AUS

JAN1N6167AUS

Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 151.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6168A

JAN1N6168A

Beschreibung: TVS DIODE 91.2VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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JAN1N6171A

Beschreibung: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
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Beschreibung: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
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JAN1N6170

JAN1N6170

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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