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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JAN1N6171A
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4296148JAN1N6171A-Bild.Microsemi Corporation

JAN1N6171A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6171A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6171A.pdf
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    152V
  • Spannung - Kipp
    1
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    121.6V
  • Spannung - Durchschlag
    C, Axial
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    6.9A
  • Polarisation
    G, Axial
  • Andere Namen
    1086-2263
    1086-2263-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N6171A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    218.4V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "JAN1N6171A" -Einziper.
JAN1N6172

JAN1N6172

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6170US

JAN1N6170US

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6173AUS

JAN1N6173AUS

Beschreibung: TVS DIODE 152V 273V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Beschreibung: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6173A

JAN1N6173A

Beschreibung: TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6171

JAN1N6171

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6173US

JAN1N6173US

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6172US

JAN1N6172US

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169

JAN1N6169

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Beschreibung: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6171US

JAN1N6171US

Beschreibung: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6173

JAN1N6173

Beschreibung: TVS DIODE 152V 286.65V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6172A

JAN1N6172A

Beschreibung: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Beschreibung: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6170

JAN1N6170

Beschreibung: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Beschreibung: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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