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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N645-1
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233500

JAN1N645-1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N645-1
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N645-1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    400mA
  • Spannung - Durchschlag
    DO-35
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1086-15973
    1086-15973-MIL
    Q9150974
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JAN1N645-1
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 225V 400mA Through Hole DO-35
  • Diodenkonfiguration
    50nA @ 225V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 400mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    225V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "JAN1N645-1" -Einziper.
JAN1N6349

JAN1N6349

Beschreibung: DIODE ZENER 110V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6463US

JAN1N6463US

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6463

JAN1N6463

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6347

JAN1N6347

Beschreibung: DIODE ZENER 91V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6461

JAN1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6351

JAN1N6351

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6461US

JAN1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6465

JAN1N6465

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6464

JAN1N6464

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6462US

JAN1N6462US

Beschreibung: TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6348

JAN1N6348

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6465US

JAN1N6465US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6462

JAN1N6462

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6345US

JAN1N6345US

Beschreibung: DIODE ZENER 75V 500MW B-SQ MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6392

JAN1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6346

JAN1N6346

Beschreibung: DIODE ZENER 82V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6391

JAN1N6391

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6464US

JAN1N6464US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6350

JAN1N6350

Beschreibung: DIODE ZENER 120V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6345

JAN1N6345

Beschreibung: DIODE ZENER 75V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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