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JAN1N6627

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6627
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6627.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 1.2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    440V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    E, Axial
  • Andere Namen
    1086-2304
    1086-2304-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 440V 1.75A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    2µA @ 440V
  • Strom - Richt (Io)
    1.75A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JAN1N6627" -Einziper.
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JAN1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JAN1N6630

JAN1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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