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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6642US
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1284554JAN1N6642US-Bild.Microsemi

JAN1N6642US

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6642US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN1N6642US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5D
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    5ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, D
  • Andere Namen
    1086-2310
    1086-2310-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 300mA Surface Mount D-5D
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "JAN1N6642US" -Einziper.
JAN1N6660CAT1

JAN1N6660CAT1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6661US

JAN1N6661US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6660DT1

JAN1N6660DT1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6643

JAN1N6643

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6677UR-1

JAN1N6677UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JAN1N6660

JAN1N6660

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6674R

JAN1N6674R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 15A D5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6660CCT1

JAN1N6660CCT1

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JAN1N6643US

JAN1N6643US

Beschreibung: .3A ULTRA FAST 75V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
JAN1N6642UBD

JAN1N6642UBD

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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