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JAN2N6788

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN2N6788
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JAN2N6788.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-39
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/555
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    800mW (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-205AF Metal Can
  • Andere Namen
    JAN2N6788-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Tc)

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JAN2N6782

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

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JAN2N6768

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO-204AE TO-3

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JAN2N6766

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JAN2N6770T1

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Beschreibung: MOSFET N-CH TO-254AA

Hersteller: Microsemi
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JAN2N6784

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JAN2N6800

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