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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANS1N5806US
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6768179JANS1N5806US-Bild.Microsemi

JANS1N5806US

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$55.187
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANS1N5806US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 150V 1A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANS1N5806US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    150V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-15144
    1086-15144-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 150V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANS1N5806US" -Einziper.
JANS1N5552

JANS1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5418

JANS1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N4992

JANS1N4992

Beschreibung: DIODE ZENER 270V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5968

JANS1N5968

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N4993US

JANS1N4993US

Beschreibung: DIODE ZENER 300V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5806

JANS1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6116US

JANS1N6116US

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5617US

JANS1N5617US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6142AUS

JANS1N6142AUS

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5615

JANS1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5298-1

JANS1N5298-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG DO-7

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5809

JANS1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N4996US

JANS1N4996US

Beschreibung: DIODE ZENER 22V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5968US

JANS1N5968US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5969US

JANS1N5969US

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5816

JANS1N5816

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANS1N4995US

JANS1N4995US

Beschreibung: DIODE ZENER 360V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5819-1

JANS1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6125A

JANS1N6125A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N5969CUS

JANS1N5969CUS

Beschreibung: DIODE ZENER 6.2V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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