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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANS1N6662US
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1613561JANS1N6662US-Bild.Microsemi Corporation

JANS1N6662US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANS1N6662US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANS1N6662US.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    500mA
  • Spannung - Durchschlag
    D-5A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/587
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-16024
    1086-16024-MIL
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    JANS1N6662US
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 500mA Surface Mount D-5A
  • Diodenkonfiguration
    50nA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 400mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "JANS1N6662US" -Einziper.
JANS2N2221AUBC

JANS2N2221AUBC

Beschreibung: NPN TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS2N2222A

JANS2N2222A

Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6642

JANS1N6642

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6640

JANS1N6640

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6661US

JANS1N6661US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANS1N938B-1

JANS1N938B-1

Beschreibung: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6642U

JANS1N6642U

Beschreibung: DIODE SWITCHING D-5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N943BUR-1

JANS1N943BUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS2N2369AUB

JANS2N2369AUB

Beschreibung: TRANS NPN 15V SMD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS2N2222AUBC

JANS2N2222AUBC

Beschreibung: NPN TRANSISTOR

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N938BUR-1

JANS1N938BUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6638

JANS1N6638

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6491US

JANS1N6491US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6761UR-1

JANS1N6761UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANS1N6632US

JANS1N6632US

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N941B-1

JANS1N941B-1

Beschreibung: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6677UR-1

JANS1N6677UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANS1N6661

JANS1N6661

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANS1N6636US

JANS1N6636US

Beschreibung: DIODE ZENER 4.7V 5W D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANS1N6491CUS

JANS1N6491CUS

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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