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JANTX1N5802URS

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTX1N5802URS
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A APKG
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTX1N5802URS.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    A-MELF
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-19430
    1086-19430-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount A-MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANTX1N5802URS" -Einziper.
JANTX1N5806URS

JANTX1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807URS

JANTX1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5770

JANTX1N5770

Beschreibung: TVS DIODE 10CFP

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807

JANTX1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807US

JANTX1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5806US

JANTX1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5772

JANTX1N5772

Beschreibung: TVS DIODE 10CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5712UR-1

JANTX1N5712UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5665A

JANTX1N5665A

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5711-1

JANTX1N5711-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5806

JANTX1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5802US

JANTX1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804US

JANTX1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5802

JANTX1N5802

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5712-1

JANTX1N5712-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5711UBD

JANTX1N5711UBD

Beschreibung: SCHOTTKY DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804

JANTX1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5711UR-1

JANTX1N5711UR-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5774

JANTX1N5774

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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