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JANTX1N5809

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTX1N5809
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTX1N5809.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 4A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2483
    1086-2483-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

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Das Folgende sind "JANTX1N5809" -Einziper.
JANTX1N5814R

JANTX1N5814R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5806URS

JANTX1N5806URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5812

JANTX1N5812

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5802US

JANTX1N5802US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804US

JANTX1N5804US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5811

JANTX1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5809US

JANTX1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804

JANTX1N5804

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5806

JANTX1N5806

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5819-1

JANTX1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5816

JANTX1N5816

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5811URS

JANTX1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5814

JANTX1N5814

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807

JANTX1N5807

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807US

JANTX1N5807US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5807URS

JANTX1N5807URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N5806US

JANTX1N5806US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTX1N5809URS

JANTX1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
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