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JANTX1N6625US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTX1N6625US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTX1N6625US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.75V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    60ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Andere Namen
    1086-2656
    1086-2656-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1100V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 1100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz

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JANTX1N6628US

JANTX1N6628US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6622

JANTX1N6622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6629

JANTX1N6629

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1.4A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6627

JANTX1N6627

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6626US

JANTX1N6626US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6623U

JANTX1N6623U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N6623US

JANTX1N6623US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6623

JANTX1N6623

Beschreibung: DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6622U

JANTX1N6622U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6624US

JANTX1N6624US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6627U

JANTX1N6627U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6626U

JANTX1N6626U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.75A A-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6626

JANTX1N6626

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6624

JANTX1N6624

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6627US

JANTX1N6627US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6622US

JANTX1N6622US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6628

JANTX1N6628

Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6624U

JANTX1N6624U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX1N6625

JANTX1N6625

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTX1N6628U

JANTX1N6628U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Hersteller: Microsemi
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