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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTXV1N5419US
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JANTXV1N5419US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5419US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N5419US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-18927
    1086-18927-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 500V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JANTXV1N5419US" -Einziper.
JANTXV1N5518CUR-1

JANTXV1N5518CUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5518B-1

JANTXV1N5518B-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5415

JANTXV1N5415

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5420

JANTXV1N5420

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5519B-1

JANTXV1N5519B-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5314-1

JANTXV1N5314-1

Beschreibung: DIODE CURRENT REG 100V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5418

JANTXV1N5418

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5518D-1

JANTXV1N5518D-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5416

JANTXV1N5416

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5417

JANTXV1N5417

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5416US

JANTXV1N5416US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5518DUR-1

JANTXV1N5518DUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5518C-1

JANTXV1N5518C-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5418US

JANTXV1N5418US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5420US

JANTXV1N5420US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5519BUR-1

JANTXV1N5519BUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5518BUR-1

JANTXV1N5518BUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5415US

JANTXV1N5415US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5417US

JANTXV1N5417US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5419

JANTXV1N5419

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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