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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JANTXV1N5552US
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2181914JANTXV1N5552US-Bild.Microsemi

JANTXV1N5552US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5552US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N5552US.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 9A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5B
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-19415
    1086-19415-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "JANTXV1N5552US" -Einziper.
JANTXV1N5546CUR-1

JANTXV1N5546CUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5558

JANTXV1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5554

JANTXV1N5554

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5546BUR-1

JANTXV1N5546BUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5552

JANTXV1N5552

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5550US

JANTXV1N5550US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5550

JANTXV1N5550

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5551US

JANTXV1N5551US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5556

JANTXV1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5554US

JANTXV1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5546D-1

JANTXV1N5546D-1

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5555

JANTXV1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5546DUR-1

JANTXV1N5546DUR-1

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5553

JANTXV1N5553

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5546C-1

JANTXV1N5546C-1

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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