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4549125JANTXV1N5968-Bild.Microsemi

JANTXV1N5968

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N5968
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N5968.pdf
  • Spannung - Zener (Nom) (Vz)
    5.6V
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 1A
  • Toleranz
    ±5%
  • Supplier Device-Gehäuse
    E, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/356
  • Leistung - max
    5W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    E, Axial
  • Andere Namen
    1086-15577
    1086-15577-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedanz (Max) (Zzt)
    1 Ohms
  • detaillierte Beschreibung
    Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5000µA @ 4.28V

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Das Folgende sind "JANTXV1N5968" -Einziper.
JANTXV1N5907

JANTXV1N5907

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5968US

JANTXV1N5968US

Beschreibung: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6041A

JANTXV1N6041A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 16.7V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6059A

JANTXV1N6059A

Beschreibung: TVS DIODE 58V 92V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6063A

JANTXV1N6063A

Beschreibung: TVS DIODE 82V 137V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6075

JANTXV1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6074

JANTXV1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Beschreibung: SCHOTTKY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6053A

JANTXV1N6053A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6036A

JANTXV1N6036A

Beschreibung: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6047A

JANTXV1N6047A

Beschreibung: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
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