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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JANTXV1N6101
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JANTXV1N6101

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6101
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 16CDIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6101.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    -
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    -
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    -
  • Unidirektionale Kanäle
    8
  • Art
    Steering (Rail to Rail)
  • Supplier Device-Gehäuse
    16-CDIP
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Andere Namen
    1086-15910
    1086-15910-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    -
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    Ethernet

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Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N6101" -Einziper.
JANTXV1N6104

JANTXV1N6104

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6105

JANTXV1N6105

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 14.07V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6103

JANTXV1N6103

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6076

JANTXV1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6074

JANTXV1N6074

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6105A

JANTXV1N6105A

Beschreibung: TVS DIODE 6.9V 13.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6104US

JANTXV1N6104US

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.71V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6081

JANTXV1N6081

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6077

JANTXV1N6077

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6104A

JANTXV1N6104A

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6078

JANTXV1N6078

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6059A

JANTXV1N6059A

Beschreibung: TVS DIODE 58V 92V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6103A

JANTXV1N6103A

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6075

JANTXV1N6075

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 850MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6103AUS

JANTXV1N6103AUS

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6104AUS

JANTXV1N6104AUS

Beschreibung: TVS DIODE 6.2V 12.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6063A

JANTXV1N6063A

Beschreibung: TVS DIODE 82V 137V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6103US

JANTXV1N6103US

Beschreibung: TVS DIODE 5.7V 11.76V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6100

JANTXV1N6100

Beschreibung: TVS DIODE 14CFLATPACK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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