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3198109JANTXV1N6108US-Bild.Microsemi

JANTXV1N6108US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6108US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6108US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    9.1V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    17.75V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    10.83V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2874
    1086-2874-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    28.12A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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JANTXV1N6109

JANTXV1N6109

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6107US

JANTXV1N6107US

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110AUS

JANTXV1N6110AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6109A

JANTXV1N6109A

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110US

JANTXV1N6110US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110

JANTXV1N6110

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110A

JANTXV1N6110A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6107A

JANTXV1N6107A

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6111A

JANTXV1N6111A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6107

JANTXV1N6107

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 16.38V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6109AUS

JANTXV1N6109AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6108A

JANTXV1N6108A

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6109US

JANTXV1N6109US

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6107AUS

JANTXV1N6107AUS

Beschreibung: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6106US

JANTXV1N6106US

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 15.23V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N6106A

JANTXV1N6106A

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6108

JANTXV1N6108

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6106AUS

JANTXV1N6106AUS

Beschreibung: TVS DIODE 7.6V 14.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N6108AUS

JANTXV1N6108AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N6111

JANTXV1N6111

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Hersteller: Microsemi
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