Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JANTXV1N6112
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6569963

JANTXV1N6112

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6112
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6112.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    13.7V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    26.36V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    16.25V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    B, Axial
  • Andere Namen
    1086-2887
    1086-2887-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    18.91A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N6112" -Einziper.
JANTXV1N6111

JANTXV1N6111

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6114A

JANTXV1N6114A

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6109AUS

JANTXV1N6109AUS

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6111AUS

JANTXV1N6111AUS

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6111US

JANTXV1N6111US

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110US

JANTXV1N6110US

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110AUS

JANTXV1N6110AUS

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110

JANTXV1N6110

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6113A

JANTXV1N6113A

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6113

JANTXV1N6113

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6114AUS

JANTXV1N6114AUS

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 30.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6112AUS

JANTXV1N6112AUS

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6110A

JANTXV1N6110A

Beschreibung: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6113US

JANTXV1N6113US

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 29.09V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6109US

JANTXV1N6109US

Beschreibung: TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6113AUS

JANTXV1N6113AUS

Beschreibung: TVS DIODE 15.2V 27.7V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6111A

JANTXV1N6111A

Beschreibung: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6112US

JANTXV1N6112US

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 26.36V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6114

JANTXV1N6114

Beschreibung: TVS DIODE 16.7V 32.03V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6112A

JANTXV1N6112A

Beschreibung: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.