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1628511JANTXV1N6159A-Bild.Microsemi

JANTXV1N6159A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6159A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 38.8V 70.1V C AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6159A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    38.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    70.1V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    48.5V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    G, Axial
  • Andere Namen
    1086-2973
    1086-2973-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    21.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "JANTXV1N6159A" -Einziper.
JANTXV1N6160A

JANTXV1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162AUS

JANTXV1N6162AUS

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162

JANTXV1N6162

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 101.96V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162A

JANTXV1N6162A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6160

JANTXV1N6160

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 80.85V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6156

JANTXV1N6156

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 56.28V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6158

JANTXV1N6158

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 67.83V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6157

JANTXV1N6157

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6156AUS

JANTXV1N6156AUS

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 53.6V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6156A

JANTXV1N6156A

Beschreibung: TVS DIODE 29.7V 53.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6158A

JANTXV1N6158A

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6159

JANTXV1N6159

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 73.61V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6157A

JANTXV1N6157A

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6159AUS

JANTXV1N6159AUS

Beschreibung: TVS DIODE 38.8V 70.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6158AUS

JANTXV1N6158AUS

Beschreibung: TVS DIODE 35.8V 64.6V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6160AUS

JANTXV1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N6157AUS

JANTXV1N6157AUS

Beschreibung: TVS DIODE 32.7V 59.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6161AUS

JANTXV1N6161AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6161

JANTXV1N6161

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 89.57V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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JANTXV1N6161A

JANTXV1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

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