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JANTXV1N6163

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6163
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 56V 108.26V C AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6163.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    56V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    108.26V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    67.74V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Axial
  • Andere Namen
    1086-19736
    1086-19736-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    13.78A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N6163" -Einziper.
JANTXV1N6163AUS

JANTXV1N6163AUS

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162

JANTXV1N6162

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 101.96V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162A

JANTXV1N6162A

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6164

JANTXV1N6164

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 118.44V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6164AUS

JANTXV1N6164AUS

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6165AUS

JANTXV1N6165AUS

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6161A

JANTXV1N6161A

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162AUS.TR

JANTXV1N6162AUS.TR

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6160

JANTXV1N6160

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 80.85V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6166

JANTXV1N6166

Beschreibung: TVS DIODE 76V 144.48V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6161

JANTXV1N6161

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 89.57V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6164A

JANTXV1N6164A

Beschreibung: TVS DIODE 62.2V 112.8V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6161AUS

JANTXV1N6161AUS

Beschreibung: TVS DIODE 47.1V 85.3V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6162AUS

JANTXV1N6162AUS

Beschreibung: TVS DIODE 51.7V 97.1V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6166A

JANTXV1N6166A

Beschreibung: TVS DIODE 76V 137.6V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6165

JANTXV1N6165

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 131.36V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6160AUS

JANTXV1N6160AUS

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6163A

JANTXV1N6163A

Beschreibung: TVS DIODE 56V 103.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6165A

JANTXV1N6165A

Beschreibung: TVS DIODE 69.2V 125.1V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6160A

JANTXV1N6160A

Beschreibung: TVS DIODE 42.6V 77V C AXIAL

Hersteller: Microsemi
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