Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > JANTXV1N6462US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2276865JANTXV1N6462US-Bild.Microsemi

JANTXV1N6462US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6462US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6V 11V B SQ-MELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6462US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    11V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.5V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/551
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, B
  • Andere Namen
    1086-2991
    1086-2991-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    258A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "JANTXV1N6462US" -Einziper.
JANTXV1N6465

JANTXV1N6465

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6461

JANTXV1N6461

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6463US

JANTXV1N6463US

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6350

JANTXV1N6350

Beschreibung: DIODE ZENER 120V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6462

JANTXV1N6462

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6466US

JANTXV1N6466US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6465US

JANTXV1N6465US

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6466

JANTXV1N6466

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6467US

JANTXV1N6467US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6463

JANTXV1N6463

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6392

JANTXV1N6392

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6464US

JANTXV1N6464US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N645-1

JANTXV1N645-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6391

JANTXV1N6391

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6349US

JANTXV1N6349US

Beschreibung: DIODE ZENER 110V 500MW B-SQ MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6467

JANTXV1N6467

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6464

JANTXV1N6464

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6461US

JANTXV1N6461US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6351US

JANTXV1N6351US

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6351

JANTXV1N6351

Beschreibung: DIODE ZENER 130V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.