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JANTXV1N6470US

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    JANTXV1N6470US
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6V 11V GMELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    JANTXV1N6470US.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    11V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.5V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    G-MELF (D-5C)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, G
  • Andere Namen
    1086-3007
    1086-3007-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    775A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "JANTXV1N6470US" -Einziper.
JANTXV1N6472

JANTXV1N6472

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6468

JANTXV1N6468

Beschreibung: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6471US

JANTXV1N6471US

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6467US

JANTXV1N6467US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6468US

JANTXV1N6468US

Beschreibung: TVS DIODE 51.6VWM BSQMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6475US

JANTXV1N6475US

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6467

JANTXV1N6467

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6473

JANTXV1N6473

Beschreibung: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6466US

JANTXV1N6466US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6466

JANTXV1N6466

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6472US

JANTXV1N6472US

Beschreibung: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6469

JANTXV1N6469

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6474

JANTXV1N6474

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N647-1

JANTXV1N647-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6471

JANTXV1N6471

Beschreibung: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6473US

JANTXV1N6473US

Beschreibung: TVS DIODE 24VWM 41.4VC GSQMELF

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6475

JANTXV1N6475

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6474US

JANTXV1N6474US

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6470

JANTXV1N6470

Beschreibung: TVS DIODE 6V 11V AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
JANTXV1N6469US

JANTXV1N6469US

Beschreibung: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Hersteller: Microsemi
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