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MAP6KE100A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE100A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 85.5V 137V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE100A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    85.5V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    137V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    95V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4473
    1086-4473-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    4.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE100A" -Einziper.
MAP5KE9.0A

MAP5KE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE9.0AE3

MAP5KE9.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110AE3

MAP6KE110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10CA

MAP6KE10CA

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110A

MAP6KE110A

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10AE3

MAP6KE10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE100CA

MAP6KE100CA

Beschreibung: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110CA

MAP6KE110CA

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE100AE3

MAP6KE100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE90A

MAP5KE90A

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10A

MAP6KE10A

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE85CAE3

MAP5KE85CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE90CAE3

MAP5KE90CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE90AE3

MAP5KE90AE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP5KE9.0CA

MAP5KE9.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO204AL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE100CAE3

MAP6KE100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 85.5V 137V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10CAE3

MAP6KE10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
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MAP5KE90CA

MAP5KE90CA

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO204AL

Hersteller: Microsemi
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MAP66006

MAP66006

Beschreibung: ANT ASSY CARRIER MOLD BLACK

Hersteller: Laird Technologies - Antennas
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MAP5KE9.0CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO204AL

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