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MAP6KE150CA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE150CA
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 128V 207V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE150CA.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    128V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    207V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    143V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4507
    1086-4507-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    2.9A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE150CA" -Einziper.
MAP6KE150AE3

MAP6KE150AE3

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE13A

MAP6KE13A

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE13AE3

MAP6KE13AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE160AE3

MAP6KE160AE3

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE15CA

MAP6KE15CA

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE150A

MAP6KE150A

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130A

MAP6KE130A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE150CAE3

MAP6KE150CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE160CA

MAP6KE160CA

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE13CAE3

MAP6KE13CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE160CAE3

MAP6KE160CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE15CAE3

MAP6KE15CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE16A

MAP6KE16A

Beschreibung: TVS DIODE 13.6V 22.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE15A

MAP6KE15A

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130CAE3

MAP6KE130CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE13CA

MAP6KE13CA

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE15AE3

MAP6KE15AE3

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130CA

MAP6KE130CA

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE160A

MAP6KE160A

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130AE3

MAP6KE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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